三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术,其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND,为各种AI应用提供优质内存解决方案 深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布,三星首款1太比特(Tb)四层单元(QLC)第九代V-NAND(V-NAND)已正式开始量产。 三星半导体1TB QLC第九代V-NAND 今年四月,三星启动了其首批三层单元(TLC)第九代V-NAND的量产,随后又率先实现了QLC 第九代V-NA